檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "MoS2".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="李奎毅"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
2
現今，二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢，特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性，應用於二…
3
本論文探討以化學氣相傳導法成長之二硫化鉬(MoS2)及硒化銦(InSe)層狀半導體之高頻時間解析光電導特性。實驗發現二硫化鉬及硒化銦皆存在包含快速及慢速的兩段式光電流響應。為了取得那段快速光電流響應…
4
隨著資訊科技產業的蓬勃發展，如何縮小電子產品內部的半導體元件並提升運算速度儼然成為最重要的議題之一，除了不斷突破製程微縮化極限，也在尋求能夠取代矽的替代材料。過渡金屬硫化物 (Transition …
5
二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
6
本論文使用化學氣相傳導法(Chemical vapor transport, CVT)成長二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)以及二硒化鎢(Tungsten disele…
7
本論文是利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport, CVT) 成長層狀半導體Mo(SxSe1-x)2，其傳導劑為碘 (I2)。從X光繞射實驗可以確定此系列單晶之成分…